MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed définissent la norme en termes de performances, de robustesse et de facilité de conception.  Les MOSFET de Wolfspeed disposent de capacités de commutation rapide et de faible perte de commutation, assurant une amélioration significative du rendement du système, de la densité de puissance et du coût global de nomenclature par rapport aux composants MOSFET au silicium et IGBT.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Fiche technique
63En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Fiche technique
661En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Fiche technique
711En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
Fiche technique
903En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Fiche technique
644En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
840En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
434En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Fiche technique
460En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
304En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Fiche technique
647En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Fiche technique
941En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
119En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
220En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
384En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
711En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
Fiche technique
1 562En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Fiche technique
178En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Fiche technique
61En stock
45012/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Fiche technique
45030/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
Fiche technique
1 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Fiche technique
69512/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Fiche technique
90019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Fiche technique
87019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement