MOSFET – Mouser France

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N de niveau normal disponibles dans les boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16. Ces MOSFET présentent un excellent produit de charge de grille x R_DS(on) (FOM), une charge de récupération inverse très faible (Q_rr) et une faible résistance R_DS(on) à l'état passant. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V fonctionnent à une température de 175 °C. Ces MOSFET sont sans halogène conformément à la norme IEC61249‑2‑21 et observent un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL 1) selon les normes J‑STD-020. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V sont idéaux pour les applications dans le domaine des énergies renouvelables, le contrôle de moteur, les amplificateurs audio et les applications industrielles.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 17

Filtres appliqués:

Style de montage

Package/Boîte

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Pd - Dissipation d’énergie

Nom commercial

Conditionnement

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Technologie	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Conditionnement
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 5,81 € 1 381En stock 4 00026/10/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPB095N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPB095N20NM6ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	1 381En stock 4 00026/10/2026 attendu	Bande coupée 5,81 € 3,38 € 2,80 € 2,49 € Bobine 2,24 € 2,23 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	PG-TO263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 3,72 € 1 966En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPB175N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPB175N20NM6ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	1 966En stock	Bande coupée 3,72 € 1,90 € 1,72 € 1,44 € Bobine 1,37 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP130N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: 4,32 € 835En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPP130N20NM6AKSA1 Référence Mouser 726-IPP130N20NM6AKSA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	835En stock	4,32 € 2,24 € 2,03 € 1,67 €	Min. : 1 Mult. : 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V ISC300N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 2,73 € 7 677En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence ISC300N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-ISC300N20NM6ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	7 677En stock	Bande coupée 2,73 € 1,36 € 1,23 € 0,998 € Afficher Bobine 0,894 € 0,955 € 0,894 € 0,894 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	30 mOhms	20 V	4.5 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 6,50 € 5 181En stock	Fab. Numéro de référence IPB068N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPB068N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	5 181En stock	Bande coupée 6,50 € 3,81 € 3,50 € 3,41 € Bobine 3,22 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1 000 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	200 V	134 A	6.3 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: 6,48 € 6 431En stock	Fab. Numéro de référence IPP069N20NM6AKSA1 Référence Mouser 726-IPP069N20NM6AKSA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	6 431En stock	6,48 € 3,48 € 3,19 € 2,88 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1 000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	136 A	6.9 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP175N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: 3,52 € 322En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPP175N20NM6AKSA1 Référence Mouser 726-IPP175N20NM6AKSA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	322En stock	3,52 € 1,79 € 1,61 € 1,32 € Afficher 1,29 € 1,26 €	Min. : 1 Mult. : 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 7,21 € 1 625En stock 3 60025/11/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPTC068N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPTC068N20NM6ATM Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	1 625En stock 3 60025/11/2026 attendu	Bande coupée 7,21 € 3,90 € 3,59 € 3,51 € 3,32 € Bobine 3,32 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	200 V	140 A	6.8 mOhms	20 V	4.5 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 3,11 € 8 468En stock	Fab. Numéro de référence IPB339N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPB339N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	8 468En stock	Bande coupée 3,11 € 1,57 € 1,42 € 1,15 € Bobine 1,08 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1 000 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPF067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 7,11 € 1 001En stock	Fab. Numéro de référence IPF067N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPF067N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	1 001En stock	Bande coupée 7,11 € 3,85 € 3,54 € 3,46 € Bobine 3,46 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 600 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-7	N-Channel	1 Channel	200 V	138 A	6.2 mOhms	20 V	3.7 V	72 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 5,12 € 934En stock	Fab. Numéro de référence IPF129N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPF129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	934En stock	Bande coupée 5,12 € 2,69 € 2,45 € 2,23 € Bobine 2,10 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: 2,86 € 2 299En stock	Fab. Numéro de référence IPP339N20NM6AKSA1 Référence Mouser 726-IPP339N20NM6AKSA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	2 299En stock	2,86 € 1,43 € 1,29 € 1,03 € Afficher 1,02 € 0,998 € 0,963 €	Min. : 1 Mult. : 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Tube
MOSFET IFX FET >150 - 400V IPT129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 5,19 € 1 311En stock	Fab. Numéro de référence IPT129N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-IPT129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	1 311En stock	Bande coupée 5,19 € 2,73 € 2,49 € 2,27 € 2,18 € Bobine 2,14 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	3.7 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V ISC130N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,68 € 4 729En stock	Fab. Numéro de référence ISC130N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-ISC130N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	4 729En stock	Bande coupée 4,68 € 2,69 € 2,46 € 2,24 € Bobine 2,24 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 500 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSON-8-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	13 mOhms	20 V	4.5 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	242 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 1,82 € 6 706En stock	Fab. Numéro de référence ISZ520N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-ISZ520N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	6 706En stock	Bande coupée 1,82 € 0,946 € 0,818 € 0,671 € Afficher Bobine 0,564 € 0,648 € 0,587 € 0,564 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	26 A	52 mOhms	20 V	3.7 V	9.9 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET IFX FET >150 - 400V ISC151N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,47 € 9 88001/07/2027 attendu	Fab. Numéro de référence ISC151N20NM6ATMA1 Référence Mouser 726-ISC151N20NM6ATMA	Infineon Technologies	MOSFET IFX FET >150 - 400V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	9 88001/07/2027 attendu	Bande coupée 4,47 € 2,32 € 2,12 € 1,86 € Bobine 1,57 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	74 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: 5,07 € 989En stock 3 50016/10/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IPP095N20NM6AKSA1 Référence Mouser 726-IPP095N20NM6AKSA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Fiche technique	989En stock 3 50016/10/2026 attendu	5,07 € 2,67 € 2,43 € 2,08 €	Min. : 1 Mult. : 1	Si	Through Hole	PG-TO220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube

MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Filtres appliqués:

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance