MOSFET à super-jonction CoolMOS™ PFD7 950 V

Les MOSFET à super-jonction (SJ) PFD7 CoolMOS™ 950 V d'Infineon Technologies offrent des technologies de super-jonction (SJ). La technologie SJ est idéale pour les applications d'éclairage et SMPS industrielles en intégrant les meilleures performances de sa catégorie avec une facilité d'utilisation de pointe. Le PFDJ fournit une diode de corps ultra-rapide intégrée permettant une utilisation dans les topologies résonantes avec la charge de récupération inverse (Qrr) la plus faible.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 209En stock
2 00022/10/2026 attendu
Bande coupée
6,48 €
3,48 €
3,19 €
3,05 €
Bobine
2,88 €
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
662En stock
6,10 €
3,45 €
3,17 €
2,93 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
882En stock
12,96 €
7,29 €
7,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1 839En stock
Bande coupée
3,56 €
1,81 €
1,64 €
1,37 €
Bobine
1,29 €
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1 634En stock
Bande coupée
3,17 €
1,60 €
1,44 €
1,18 €
Bobine
1,10 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
3 705En stock
3,59 €
1,78 €
1,62 €
1,34 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
79En stock
6,48 €
3,47 €
3,18 €
2,88 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
689En stock
Bande coupée
2,82 €
1,41 €
1,27 €
1,03 €
1,01 €
Bobine
0,937 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
393En stock
3,56 €
1,81 €
1,64 €
1,33 €
1,32 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
712En stock
3,02 €
1,51 €
1,37 €
1,17 €
Afficher
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube