EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs) are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistors (BRTs) integrate a single transistor with a monolithic bias network comprising two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor. These BRTs eliminate these individual components by integrating them into a single device. The EMD4DXV6 transistors feature a 50Vdc collector-base voltage, 50Vdc collector-emitter voltage, and 100mAdc collector current. These transistors support a -55°C to +150°C junction and storage temperature range.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Configuration Polarité du transistor Résistance d'entrée type Taux de résistance type Style de montage Package/Boîte Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Courant de collecteur continu Courant collecteur de crête CC Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi Transistors numériques Dual Complementary NPN & PNP Digital 6 536En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4 000

Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistors numériques Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 4 000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape