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MOSFET UniFET II FDT4N50NZU

Le MOSFET UniFET II FDT4N50NZU onsemi est un MOSFET haute tension basé sur une technologie avancée à bande planaire et DMOS. Le MOSFET a une faible résistance à l'état passant parmi les MOSFET planaires. Il fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure résistance à l'énergie d'avalanche. Une diode ESD grille-source interne permet au MOSFET UniFET II de résister à une surtension de plus de 2 kV HBM.

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