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MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 0.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

637-MMFTP2319

N° de fab. :

MMFTP2319

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Fiche technique:

MMFTP2319 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	4.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	750 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	MMFTN/P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

MMFTP2319 Fiche technique (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

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DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

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Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

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Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

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	0,211 €	2,11 €
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	0,138 €	69,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
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	0,09 €	810,00 €

MMFTP2319

Fab. : Diotec Semiconductor

Description : MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Caractéristiques

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Fiche technique

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