MOSFET à tranchée et canal N 2N7002H

Les MOSFET à tranchée et canal N 2N7002H Nexperia sont des MOSFET à transistor à effet de champ (FET) à mode amélioré. Le 2N7002H est logé dans un petit boîtier plastique SOT23 à montage en surface (CMS). Les MOSFET sont compatibles au niveau logique, ont une commutation très rapide et sont homologués AEC-Q101.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Fiche technique
13 496En stock
9 00006/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88
Fiche technique
195En stock
15 00012/07/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002HW/SOT323/SC-70
Fiche technique
17 313En stock
12 00011/06/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel