Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
Les transistors à effet de champ (FET) 2N7002 de type N en mode d’amélioration de Diodes Incorporated sont conçus pour des applications de commutation à basse tension. Ces composants 2N7002 affichent une tension drain-source maximale (VDS) de 60 V, un courant de drain continu (ID) compris entre 105 mA et 210 mA et une faible résistance à l'état passant [RDS(on)] comprise entre 7,5 Ω et 13,5 Ω. Les FET offrent des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille adaptées au traitement du signal à la commutation de charge et aux applications de décalage de niveau. Les transistors de Diodes Inc. sont intégrés dans des boîtiers SOT-23 ou SOT-323, permettant de réduire l'encombrement dans les circuits à forte densité. Les FET 2N7002 sont également sans plomb, conformes à la directive RoHS et conçus pour l'assemblage automatisé en surface.
