MOSFET de puissance CoolMOS™ C7 Gold (G7)

Les MOSFET de puissance CoolMOS™ C7 Gold (G7) Infineon Technologies™ sont logés dans le nouveau boîtier CMS TOLL (TO-sans fil) à l'aide du concept de source Kelvin. Les MOSFET du G7 combinent une technologie CoolMOS™ G7 améliorée de 600 et 650 V, une capacité de source Kelvin à 4 broches, et les propriétés thermiques améliorées du boîtier TO-sans fil. Cela permet d'avoir une solution CMS pour des topologies de commutation fixe à courant élevé comme la correction du facteur de puissance (PFC) jusqu'à 3 kW. Pour les CoolMOS™ G7 600 V, les MOSFET peuvent être utilisés pour des circuits de résonance comme les LLC haut de gamme.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
3 968En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 675En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
261En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Fiche technique
2 560En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 199En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Fiche technique
1 098En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
28En stock
2 00004/03/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Fiche technique
95029/07/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel