MOSFET à canal N 1200 V MaxSiC™ MXP120

Les MOSFET à canal N 1200V MaxSiC™ MXP120 de Vishay Semiconductors présentent une tension drain-source de 1200 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3μs. Ces MOSFET présentent également une puissance dissipable admissible de 56 W à 288 W (Tc = 25 °C) et un courant de drain continu de 10,5 A à 53 A (Tc = 25 °C). Les MOSFET à canal N 1200 V MaxSiC™ MXP120 sont sans halogène et sont disponibles en boîtiers TO-247AD 3L, TO-247AD 4L et TO-263 7L. Ces MOSFET sont utilisés dans des chargeurs, des entraînements à moteur auxiliaires et des convertisseurs CC-CC.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80016/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60016/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60016/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
79928/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
59928/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
79928/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
58328/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60020/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80020/01/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60017/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80028/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60028/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80018/11/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60028/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80018/11/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60028/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60017/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement