CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 69.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

94-CLP24H4S30PXY

N° de fab. :

CLP24H4S30PXY

Fab. :

Ampleon

Description :

FET GaN CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

CLP24H4S30PXY Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Ampleon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	774 uA
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2.2 V
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Technologie:	GaN SiC
Marque:	Ampleon
Gain:	18.4 dB
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	30 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Type:	RF Power MOSFET

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CLP24H4S30PXY Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.

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CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.

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Fab. : Ampleon

Description : FET GaN CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

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