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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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48005/11/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
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1.2 kV
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97 A
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17 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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89 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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382 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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Min. : 1
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
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1.2 kV
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80 A
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- 10 V, + 25 V
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71 nC
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- 55 C
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329 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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24019/10/2026 attendu
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
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1.2 kV
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55 A
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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45 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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244 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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632En stock
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1.2 kV
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38 A
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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- 55 C
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+ 175 C
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182 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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Through Hole
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TO-247-4
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1.2 kV
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129 A
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12 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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124 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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Through Hole
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TO-247-4
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1.2 kV
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5.1 V
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124 nC
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- 55 C
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|
289 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
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1.2 kV
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28 A
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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21 nC
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- 55 C
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|
143 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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726-IMZC120R040M2HXK
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
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Min. : 1
Mult. : 1
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
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1.2 kV
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48 A
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40 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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39 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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218 W
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Enhancement
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CoolSiC
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