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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 622En stock
48005/11/2026 attendu
17,96 €
12,97 €
11,27 €
10,76 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1 335En stock
15,94 €
10,97 €
9,48 €
8,83 €
8,42 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 683En stock
24019/10/2026 attendu
10,78 €
5,96 €
5,64 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 632En stock
8,74 €
4,72 €
4,36 €
4,35 €
4,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 9En stock
960Sur commande
22,89 €
14,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 18En stock
960Sur commande
13,42 €
7,66 €
7,13 €
7,10 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 5En stock
960Sur commande
8,18 €
4,39 €
4,05 €
3,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1 992Sur commande
10,63 €
5,98 €
5,46 €
5,23 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC