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iS20M028S1C-7SR

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1C-7SR
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1C-7SR
Price: 3.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

25-IS20M028S1C-7SR

N° de fab. :

iS20M028S1C-7SR

Fab. :

iDEAL Semiconductor

Description :

MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

iS20M028S1C-7SR Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	iDEAL Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	45 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	27.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperQ
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	iDEAL Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	12.7 ns
Transconductance directe - min.:	14 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns

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Fiche technique

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Product Catalogs

Aerospace and Defense (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET is designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFET features ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFET supplies superior R_DS(on) and Q_SW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.

PRODUITS PRÉSENTÉS

IDEAL SEMICONDUCTOR

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

Features low switching losses, Q_SW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

iS15M7R1S1C SuperQ™ 150V N-Channel Power MOSFETs

Designed to deliver superior efficiency and switching performance in demanding power applications.

En stock: 99

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	1,43 €	143,00 €
	1,20 €	600,00 €
	1,11 €	1 110,00 €
	1,04 €	2 600,00 €

iS20M028S1C-7SR

Fab. : iDEAL Semiconductor

Description : MOSFET

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