FF900R12ME7B11NPSA1

Infineon Technologies
726-FF900R12ME7B11N1
FF900R12ME7B11NPSA1

Fab. :

Description :
Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module

Fiche technique:
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Infineon
Catégorie du produit: Modules IGBT
RoHS: N
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine: 10
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Nom commercial: EconoDUAL
Raccourcis pour l'article N°: FF900R12ME7_B11 SP005422550
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Codes de conformité
CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays de diffusion:
Autriche
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Entraînements industriels

Les entraînements industriels d'Infineon proposent un large portefeuille de semi-conducteurs efficaces optimisés pour les entraînements de moteurs. Les concepteurs peuvent s'appuyer sur les modules de puissance intelligents (IPM) d'Infineon et des composants discrets pour les conceptions intelligentes dans la gamme de faible puissance. Pour les entraînements à moyenne puissance, les modules EasyPIM™, EasyPACK™ et EconoPIM™ d'Infineon sont parfaitement adaptés. Passant au spectre à haute puissance, EconoDUAL™ et PrimePACK™ sont les solutions de choix. Ils sont combinés à la technologie d'interconnexion innovante .XT. Les modules PrimePACK peuvent aider les concepteurs à surmonter le dilemme de la surestimation en prolongeant la durée de vie grâce à l'augmentation des capacités de cycle thermique et de puissance.

Modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™

Les modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ d'Infineon Technologies sont basés sur une technologie de tranchée à micro-motifs qui réduit les pertes et offre une haute contrôlabilité. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. Une puce spécialement optimisée pour les applications d’entraînement industriel et les systèmes d’énergie solaire fournit de faibles pertes statiques, une densité de puissance élevée et une commutation douce. Avec une température de fonctionnement maximale de +175 °C, les modules permettent une augmentation significative de la densité de puissance.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

Module IGBT double FF900R12ME7_B11

Le module IGBT double FF900R12ME7_B11 d'Infineon Technologies dispose du module EconoDUAL™ 3, du module IGBT TRENCHSTOP™ double, du NTC et de la technologie de contact PressFIT. Ce module IGBT dispose d'une densité de puissance élevée, de bornes améliorées et d'un capteur de température NTC intégré. Le module FF900R12ME7_B11 dispose d'un assemblage facile et fiable et évite la mise en parallèle des modules IGBT. Ce module IGBT peut être stocké sur une plage de températures allant de -40 °C à +125 °C. Le module FF900R12ME7_B11 inclut une distance de ligne de fuite optimisée pour les applications photovoltaïques de 1 500 V, les broches de contrôle PressFIT et les bornes d'alimentation à vis. Ce module IGBT est idéal pour une utilisation dans les dispositifs de commande de moteur, les solutions pour les systèmes d'énergie solaire, les servomoteurs et les systèmes UPS.

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Stock:
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Expédition possible immédiatement
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Délai usine :
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