FET GaN – Mouser France

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TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Vgs - Tension grille-source	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Fréquence de fonctionnement max.	Fréquence de fonctionnement min.	Technologie
	FET GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V TGF2965-SM Qorvo 1: 68,91 € 722En stock	Fab. Numéro de référence TGF2965-SM Référence Mouser 772-TGF2965-SM	Qorvo	FET GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V En savoir plus sur Qorvo tgf2965 sm transistor	Fiche technique	722En stock	68,91 € 68,23 € 52,79 €	Min. : 1 Mult. : 1			SMD/SMT	QFN-16	P-Channel		32 V	600 mA				7.5 W	3 GHz	30 MHz	GaN
	FET GaN .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT TGF2965-SMTR13 Qorvo 2 500: 54,67 € Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines	Fab. Numéro de référence TGF2965-SMTR13 Référence Mouser 772-TGF2965-SMTR13	Qorvo	FET GaN .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines	Bobine 54,67 €	Min. : 2 500 Mult. : 2 500 : 2 500			SMD/SMT	QFN-16	N-Channel	1 Channel	32 V	600 mA	- 7 V, + 2 V	- 40 C	+ 85 C	7.5 W			GaN-on-SiC

TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

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