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π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Technologie	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Conditionnement
	MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K7A60F,S4X Toshiba 1: 1,38 € 347En stock	Fab. Numéro de référence TK1K7A60F,S4X Référence Mouser 757-TK1K7A60FS4X	Toshiba	MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	347En stock	1,38 € 0,642 € 0,569 € 0,393 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	1.7 Ohms	30 V	4 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK2K2A60F,S4X Toshiba 1: 1,24 € 340En stock	Fab. Numéro de référence TK2K2A60F,S4X Référence Mouser 757-TK2K2A60FS4X	Toshiba	MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	340En stock	1,24 € 0,574 € 0,507 € 0,34 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	2.2 Ohms	30 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A TK1K2A60F,S4X Toshiba 1: 1,22 € 223En stock	Fab. Numéro de référence TK1K2A60F,S4X Référence Mouser 757-TK1K2A60FS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	223En stock	1,22 € 0,572 € 0,571 € 0,43 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	1.2 Ohms	30 V	2 V	21 nC		+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK4K1A60F,S4X Toshiba 1: 0,946 € 233En stock	Fab. Numéro de référence TK4K1A60F,S4X Référence Mouser 757-TK4K1A60FS4X	Toshiba	MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	233En stock	0,946 € 0,437 € 0,436 € 0,301 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	2 A	4.1 Ohms	30 V	4 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A TK650A60F,S4X Toshiba 1: 1,47 € 211En stock	Fab. Numéro de référence TK650A60F,S4X Référence Mouser 757-TK650A60FS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	211En stock	1,47 € 0,699 € 0,698 € 0,558 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	650 mOhms	30 V	2 V	34 nC		+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A TK750A60F,S4X Toshiba 1: 1,57 € 683En stock	Fab. Numéro de référence TK750A60F,S4X Référence Mouser 757-TK750A60FS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	683En stock	1,57 € 0,746 € 0,665 € 0,548 € Afficher 0,507 € 0,488 € 0,48 € 0,431 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	750 mOhms	30 V	2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K0A60F,S4X Toshiba 1: 1,73 € 19025/12/2026 attendu	Fab. Numéro de référence TK1K0A60F,S4X Référence Mouser 757-TK1K0A60FS4X	Toshiba	MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	19025/12/2026 attendu	1,73 € 0,83 € 0,738 € 0,587 € Afficher 0,55 € 0,527 € 0,517 € 0,488 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.5 A	1 Ohms	30 V	4 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A TK1K9A60F,S4X Toshiba 1: 1,37 € Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines	Fab. Numéro de référence TK1K9A60F,S4X Référence Mouser 757-TK1K9A60FS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A En savoir plus sur Toshiba pi mos ix mosfet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines	1,37 € 0,849 € 0,559 € 0,439 € Afficher 0,375 € 0,34 € 0,302 € 0,292 € 0,284 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	1.9 Ohms	30 V	2 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube