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MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 307.63 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

841-MRF1K50NR5

N° de fab. :

MRF1K50NR5

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

MRF1K50NR5 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	133 V
Fréquence de fonctionnement:	1.8 MHz to 500 MHz
Gain:	23 dB
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	OM-1230-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	NXP Semiconductors
Transconductance directe - min.:	33.5 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	2 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	2.941 kW
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	MRF1K50N
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Raccourcis pour l'article N°:	935318822578
Poids de l''unité:	5,281 g

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Fiche technique

MRF1K50NR5 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-31 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections.

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100	Devis

MRF1K50NR5

Fab. : NXP Semiconductors

Description : Transistors MOSFET RF Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

EOL

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Produit et conformité commerciale

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MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

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