MOSFET au SiC série M3S 1 200 V NTBG022N120M3S

Le MOSFET au SiC (carbure de silicium) de série M3S 1 200 V onsemi   NTBG022N120M3S est optimisé pour desapplications à commutation rapide et présente une faible résistance entre drain et source de 22 m Ω. Les MOSFET au SiC de série M3S présentent des performances optimales lorsqu'ils sont pilotés par une commande de grille de 18 V mais fonctionnent également bien sous 15 V. Ce composant a une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec une commande négative de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. 

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V 773En stock
Bande coupée
16,94 €
11,35 €
10,59 €
Bobine
10,59 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 1 534En stock
Bande coupée
10,43 €
6,30 €
6,22 €
5,88 €
Bobine
5,88 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 66En stock
80014/05/2027 attendu
Bande coupée
7,46 €
4,70 €
4,09 €
3,47 €
Bobine
3,47 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 15En stock
Bande coupée
9,52 €
5,74 €
5,19 €
4,90 €
Bobine
4,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC