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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp 1 143En stock
2,92 €
1,90 €
1,32 €
1,09 €
0,963 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 345En stock
Bande coupée
2,06 €
1,32 €
1,09 €
0,92 €
Bobine
0,85 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 5A N-CH MOSFET
3 050En stock
1,76 €
1,20 €
0,80 €
0,688 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF8
1 157En stock
2,06 €
1,43 €
1,01 €
0,777 €
0,748 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 057En stock
2,55 €
1,43 €
1,13 €
0,92 €
0,877 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube