MOSFET SiC 1 200 V
Les MOSFET SiC 1 200 V de Nexperia sont hébergés dans un boîtier QDPAK (refroidi par le haut) et sont conçus pour les systèmes de conversion d'énergie industriels et automobiles nécessitant une haute efficacité, une densité de puissance élevée et des performances thermiques solides. Ces dispositifs combinent les performances de commutation du SiC avec une architecture de boîtier refroidie par le dessus, offrant un chemin thermique direct entre la puce et le dissipateur thermique. Ceci permet de moins dépendre de la diffusion de la chaleur du PCB et de permettre des structures de refroidissement plus simples et plus efficaces dans des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent les chargeurs embarqués de véhicules électriques, les convertisseurs CC-CC, les convertisseurs auxiliaire et de traction, les infrastructures de chargement de véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelables et la conversion CA-CC/CC-CC haute puissance.
