High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Résultats: 70
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 275En stock
17,03 €
10,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 423En stock
1 00028/12/2026 attendu
22,87 €
18,31 €
15,83 €
14,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 1 352En stock
2 00022/01/2027 attendu
9,50 €
6,63 €
5,53 €
4,93 €
4,66 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 713En stock
10,40 €
5,72 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 640En stock
12,01 €
6,90 €
6,84 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 534En stock
20,55 €
16,31 €
14,10 €
12,46 €
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 560En stock
12,01 €
8,51 €
7,45 €
6,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 639En stock
10,78 €
6,06 €
5,62 €
5,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263 285En stock
Bande coupée
21,04 €
15,71 €
13,59 €
12,18 €
Bobine
12,18 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 227En stock
25,27 €
18,86 €
16,90 €
16,85 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902En stock
22,07 €
14,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1 166En stock
13,12 €
9,95 €
9,39 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 623En stock
25,38 €
16,85 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 357En stock
Bande coupée
10,98 €
6,30 €
5,81 €
5,50 €
Bobine
5,50 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583En stock
11,09 €
6,23 €
5,77 €
5,56 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1 142En stock
18,20 €
10,95 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 445En stock
67,00 €
57,34 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24 466En stock
60,76 €
49,26 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 466En stock
10,32 €
5,94 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 486En stock
Bande coupée
13,08 €
7,66 €
7,25 €
Bobine
7,25 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 648En stock
Bande coupée
12,07 €
6,91 €
6,54 €
Bobine
6,54 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1 251En stock
Bande coupée
10,14 €
5,84 €
5,31 €
5,11 €
Bobine
4,95 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7 795En stock
Bande coupée
21,38 €
14,40 €
13,86 €
Bobine
13,44 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199En stock
Bande coupée
11,59 €
6,73 €
6,28 €
5,94 €
Bobine
5,94 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24 203En stock
51,94 €
41,25 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET