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NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 42.3 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVXK2TR80WDT

N° de fab. :

NVXK2TR80WDT

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Fiche technique:

NVXK2TR80WDT Fiche technique

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	APM-32
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	116 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	82 W
Série:	NVXK2TR80WDT
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual Half-Bridge
Temps de descente:	9 ns
Hauteur:	5.8 mm
Longueur:	44.2 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	60
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Half-Bridge
Délai d'activation standard:	12 ns
Largeur:	29 mm

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Fiche technique

NVXK2TR80WDT Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT

Le Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT Onsemi est un module d'alimentation Elite à double demi-pont 1 200 V,Ω 80 m et 20 A logé dans un boîtier DIP (double alignement) APM32. Ce module à SiC est conçu de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Le module d'alimentation NVXK2TR80WDT est homologué pour l'automobile selon AEC-Q101 et AQG324. Ce module d'alimentation est sans plomb, conformément aux directives RoHS et UL94V-0. Le module MOSFET EliteSiC NVXK2TR80WDT est idéal pour les chargeurs CC-CC HT et embarqués dans les applications xEV.

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NVXK2TR80WDT

Fab. : onsemi

Description : Modules MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

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