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NTBLS0D8N08XTXG

Name: onsemi NTBLS0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D8N08XTXG
Price: 7.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBLS0D8N08XTXG

N° de fab. :

NTBLS0D8N08XTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Fiche technique:

NTBLS0D8N08XTXG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	457 A
Rds On - Résistance drain-source:	790 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	174 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	325 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	485 S
Pic de température de soudage:	+ 260 C
Nombre de broches:	8
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	NTBLS0D8N08X
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	34 ns

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Fiche technique

NTBLS0D8N08XTXG Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-8-17 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Cloud/Data Center Power Management Solutions

Cloud and data center power infrastructure is entering an unprecedented period of growth, driven by hyperscale expansion, AI workloads, and the rapid rise of data‑intensive applications. As cloud service providers and enterprise data centers scale global footprints, efficient, reliable power delivery has become a critical enabler of performance, availability, and total cost of ownership.

MOSFET NTBLS0D8N08X monocanal N 80 V

Le MOSFET monocanal N de 80 V NTBLS0D8N08X d’onsemi possède une Q_rr faible et une diode de corps à récupération plus douce pour garantir une gestion efficace de l’énergie. Le NTBLS0D8N08X d’onsemi se vante également d’une résistance R_DS(on) ultra-basse, améliorant ainsi l’efficacité énergétique globale. Sa Q_g faible contribue également à des caractéristiques de commutation optimisées. De plus, il respecte les normes environnementales, étant à la fois sans Pb et sans halogène/BFR.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

En stock: 690

Stock:: 690

Expédition possible immédiatement

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Sur commande:: 6 000

02/12/2026 attendu

20 000

4 000

07/12/2026 attendu

16 000

19/03/2027 attendu
Délai usine :: 39

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	7,41 €	7,41 €
	4,19 €	41,90 €
	3,84 €	384,00 €
	3,76 €	1 880,00 €
	3,32 €	3 320,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	3,32 €	6 640,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

NTBLS0D8N08XTXG

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Fab. : onsemi

Description : MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

PCN

Produit et conformité commerciale

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MOSFET NTBLS0D8N08X monocanal N 80 V

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En stock: 690

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Fab. :

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Description :

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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