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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Technologie
Nexperia FET GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
1 756En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia FET GaN GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Fiche technique
238En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Fiche technique
250En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Fiche technique
249En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Fiche technique
160En stock
9019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Fiche technique
220En stock
3019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
Fiche technique
240En stock
1019/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia FET GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
1 882En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia FET GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Fiche technique
2 334En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia FET GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
566En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia FET GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Fiche technique
52En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN