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FGH50T65UPD

Name: onsemi FGH50T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH50T65UPD
Price: 6.55 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FGH50T65UPD

N° de fab. :

FGH50T65UPD

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 650 V 100 A 240 W

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

FGH50T65UPD Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	100 A
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGH50T65UPD
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,390 g

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Fiche technique

FGH50T65UPD Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: République tchèque

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,55 €	6,55 €
	3,79 €	37,90 €
	3,41 €	409,20 €
	3,30 €	1 683,00 €
	3,20 €	3 264,00 €

FGH50T65UPD

Fab. : onsemi

Description : IGBTs 650 V 100 A 240 W

Caractéristiques

Documents (15)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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