Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V Infineon Technologies  disposent d'une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie dans une plage de tension jusqu'à 650 V. La technologie GaN d’Infineon amène le concept e‑mode à maturité avec des volumes élevés de production de bout en bout. Cette qualité pionnière garantit les normes les plus élevées et offre les performances les plus fiables. Les transistors de puissance en mode d’amélioration CoolGaN™ Gen 2 650 V améliorent l’efficacité du système et la densité de puissance avec une commutation ultra-rapide.

Résultats: 12
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Technologie
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 511En stock
Bande coupée
3,35 €
2,20 €
1,54 €
1,26 €
1,21 €
Bobine
1,07 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 815En stock
Bande coupée
2,47 €
1,60 €
1,10 €
0,886 €
Bobine
0,703 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 699En stock
Bande coupée
2,15 €
1,38 €
0,946 €
0,753 €
Bobine
0,586 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 1 661En stock
1 80028/01/2027 attendu
Bande coupée
9,47 €
5,42 €
5,14 €
4,85 €
4,20 €
Bobine
4,16 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 977En stock
Bande coupée
7,37 €
4,01 €
3,68 €
3,62 €
3,16 €
Bobine
3,07 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 1 262En stock
Bande coupée
4,06 €
2,68 €
1,90 €
1,63 €
Bobine
1,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 602En stock
Bande coupée
11,46 €
7,69 €
7,12 €
6,17 €
Bobine
5,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 467En stock
Bande coupée
9,49 €
5,28 €
5,04 €
4,28 €
Bobine
4,28 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 2 068En stock
Bande coupée
7,59 €
4,14 €
3,71 €
Bobine
3,28 €
3,20 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 583En stock
Bande coupée
6,34 €
3,40 €
3,11 €
2,51 €
Bobine
2,51 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
9 060Sur commande
Bande coupée
10,94 €
6,20 €
6,11 €
6,05 €
5,19 €
Bobine
5,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
3 596Sur commande
Bande coupée
6,18 €
3,66 €
3,16 €
2,90 €
2,49 €
Bobine
2,49 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN