Transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V d'Infineon Technologies sont des transistors de puissance GaN-sur-Si à mode d'enrichissement avec des propriétés qui permettent une haute tension de claquage, un courant élevé et une haute fréquence de commutation. Les systèmes GaN innovent grâce à des avancées à la pointe du secteur, telles que la disposition de cellules brevetée Island Technology®, qui permet d'obtenir des puces à courant élevé et un rendement élevé. Ces transistors de puissance CoolGaN 700 V permettent des conceptions à densité ultra-puissante et un haut rendement du système en commutation de puissance. Les transistors de puissance GS-065 sont logés dans un boîtier PDFN refroidi côté inférieur. Ces transistors de puissance offrent une très faible résistance thermique de jonction à boîtier, ce qui les rend idéaux pour les applications à haute puissance exigeantes. Certaines des applications incluent les solutions pour centres de données et informatiques, les adaptateurs d'alimentation, les pilotes d'éclairage LED, les alimentations à découpage (SMPS), la transmission d'énergie sans fil et les entraînements à moteur.

Résultats: 7
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal Fréquence de fonctionnement max. Fréquence de fonctionnement min. Technologie
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 214En stock
Bande coupée
8,82 €
4,90 €
4,11 €
Bobine
4,11 €
3,91 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 155En stock
Bande coupée
4,99 €
4,13 €
2,21 €
Bobine
2,21 €
1,90 €
1,84 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 88En stock
Bande coupée
5,36 €
2,83 €
2,38 €
Bobine
2,38 €
2,33 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS 15En stock
Bande coupée
5,25 €
2,87 €
2,43 €
Bobine
2,43 €
2,38 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Bande coupée
6,52 €
3,50 €
2,90 €
Bobine
2,90 €
2,61 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS Délai de livraison 18 Semaines
Bande coupée
3,13 €
1,58 €
1,26 €
Bobine
1,26 €
1,10 €
1,08 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Bande coupée
4,33 €
3,87 €
1,96 €
Bobine
1,96 €
1,95 €
1,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si