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STH13N120K5-2AG

Name: STMicroelectronics STH13N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH13N120K5-2AG
Price: 10.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STH13N120K5-2AG

N° de fab. :

STH13N120K5-2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	690 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	44.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	18.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	68.5 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STH13N120K5-2AG Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET features MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. This STMicroelectronics MOSFET dramatically reduces on-resistance and offers ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. The device is AEC-Q101 qualified and Zener protected.

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Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

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Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

En stock: 1 827

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	10,26 €	10,26 €
	7,11 €	71,10 €
	5,59 €	559,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,75 €	4 750,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STH13N120K5-2AG

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in Complétez votre conception

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