DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Résultats: 19
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 637En stock
5,42 €
3,87 €
2,86 €
2,54 €
2,27 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V) 4 891En stock
Bande coupée
5,92 €
3,15 €
2,97 €
Bobine
2,97 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 88En stock
5,16 €
2,67 €
2,41 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V) 14En stock
9,53 €
5,64 €
5,48 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 36En stock
12,02 €
9,43 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS 97En stock
5,28 €
2,76 €
2,51 €
2,09 €
2,02 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 51En stock
5,41 €
3,54 €
2,61 €
2,31 €
2,06 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 75En stock
5,13 €
3,06 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 77En stock
4,94 €
3,02 €
2,30 €
2,09 €
1,98 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V) 48En stock
5,68 €
3,72 €
2,73 €
2,43 €
2,18 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) 69En stock
5,81 €
3,62 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS 46En stock
7,28 €
3,96 €
3,63 €
3,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax 60En stock
10,92 €
9,06 €
8,32 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS 5En stock
13,79 €
7,97 €
7,77 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
9012/10/2026 attendu
4,88 €
2,55 €
2,24 €
1,97 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
4,72 €
2,47 €
2,24 €
1,89 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=180W F=1MHZ Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Bobine
1,91 €
Min. : 2 500
Mult. : 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Bobine
1,93 €
Min. : 2 500
Mult. : 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Bobine
1,91 €
Min. : 2 500
Mult. : 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel