MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced

Les MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement de pointe pour atteindre une résistance par surface de silicium en fonctionnement extrêmement faible. Cet avantage, associé à une vitesse de commutation élevée, une structure endurcie et une température de jonction en fonctionnement de 175 °C qui font la renommée des MOSFET de puissance HEXFET, donne au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable à utiliser dans une large variété d'applications.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
Fiche technique
2 707En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Fiche technique
11 731En stock
76 800Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Fiche technique
716En stock
4 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Fiche technique
31 44009/09/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube