MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers  LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.

Résultats: 8
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia MOSFET PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 401En stock
1,87 €
0,903 €
0,806 €
0,641 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 533En stock
1,64 €
0,784 €
0,701 €
0,554 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 893En stock
1,64 €
0,784 €
0,701 €
0,554 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 838En stock
1,38 €
0,652 €
0,581 €
0,455 €
Afficher
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 908En stock
1,38 €
0,652 €
0,581 €
0,455 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 425En stock
1,34 €
0,631 €
0,562 €
0,439 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
981En stock
1,21 €
0,568 €
0,505 €
0,394 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Fiche technique
445En stock
1,85 €
1,18 €
0,795 €
0,635 €
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Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement