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MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx
Les MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx de Nexperia sont conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications. Ces MOSFET Nexperia présentent une faible résistance à l'état passant [RDS(on)], allant de 2,8 mΩ à 14 mΩ, et prennent en charge des tensions drain-source (VDS) de 60 V et 100 V. Ces MOSFET sont optimisés pour une compatibilité de niveau logique et conviennent pour le redressement synchrone côté secondaire, les convertisseurs CC-CC, les entraînements à moteur, la commutation de charge et l'éclairage LED. Ces MOSFET sont hébergés dans des boîtiers MLPAK33 et MLPAK56 thermiquement efficaces, qui offrent une empreinte compact et des performances thermiques améliorées. Grâce à des caractéristiques telles qu'une faible charge de grille (Qg) et une forte résistance à l'avalanche, la série PXNx garantit une exploitation fiable dans des environnements exigeants.