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CoolSIC SiC MOSFET

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,07 € 1 522En stock 1 20026/11/2026 attendu	Fab. Numéro de référence IMYH200R024M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Fiche technique	1 522En stock 1 20026/11/2026 attendu	39,07 € 29,05 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 19,29 € 1 206En stock	Fab. Numéro de référence IMYH200R075M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Fiche technique	1 206En stock	19,29 € 14,41 € 12,46 €	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,77 € 83En stock 1 920Sur commande	Fab. Numéro de référence IMYH200R050M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Fiche technique	83En stock 1 920Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMYH200R050M1HXKSA1 Stock: 83 Expédition possible immédiatement Sur commande: 480 26/10/2026 attendu 1 440 02/11/2026 attendu Délai usine : 53 Semaines	22,77 € 18,24 € 15,77 € 14,92 € Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 78,60 € 5 90709/09/2027 attendu	Fab. Numéro de référence IMYH200R012M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Fiche technique	5 90709/09/2027 attendu	78,60 € 64,95 € 58,51 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,21 € 3 859Sur commande	Fab. Numéro de référence IMYH200R100M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Fiche technique	3 859Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMYH200R100M1HXKSA1 Stock: 0 Sur commande: 1 939 01/04/2027 attendu 1 920 À déterminer Délai usine : 52 Semaines	16,21 € 12,11 € 10,47 € 9,91 € 9,25 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC