D5116ANBHXGXN-UF

Kingston
524-D5116ANBHXGXN-UF
D5116ANBHXGXN-UF

Fab. :

Description :
DRAM DDR4 8Gb 96 ball 512Mx16 3200Mbps

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Kingston
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 GB
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 95 C
Tray
Marque: Kingston
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: SDRAM
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0 

                        
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Fiche technique

Codes de conformité
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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LPDDR4 DRAM Devices

Kingston LPDDR4 DRAM Devices feature low power consumption and an auto precharge option for each burst access. These DRAM devices offer DMI pin support for write data masking and DBIdc functionality. The LPDDR4 DRAM devices are packaged in FBGA-200 and have 8Gbits die density. These DRAM devices feature Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) by a built-in temperature sensor and per bank refresh. The LPDDR4 DRAM devices operate at -25°C to 85°C temperature range, 1.6GHz maximum clock frequency, and 1.06V to 1.95V supply voltage range.

En stock: 20

Stock:
20 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
53 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 20 seront soumises à des commandes minimales.
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