InterFET Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
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InterFET JFET à canal N 40 V à faible Ciss IFN201 et IFN202
InterFET JFET à canal N 40 V à faible Ciss IFN201 et IFN202
10/28/2024
Feature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.
InterFET JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160
InterFET JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160
10/28/2024
Disposent d’une faible fuite de grille, d’une faible tension de coupure et d’une faible capacité d’entrée (Ciss).
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IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09/01/2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
IXYS SCR sensibles SK002xSx
IXYS SCR sensibles SK002xSx
08/27/2026
SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
08/25/2026
Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08/25/2026
Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08/19/2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08/17/2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08/17/2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08/14/2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08/14/2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08/14/2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
08/12/2026
Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08/11/2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08/10/2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08/10/2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
08/04/2026
Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07/30/2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07/30/2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07/21/2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
07/20/2026
Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.
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