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Linear Integrated Systems Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs

09/21/2023

- Wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.

Linear Integrated Systems J500 Current Regulating Diodes

09/07/2023

- Wide 0.192mA to 5.6mA current range and are for current-limiting and constant-current applications.

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Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules

09/01/2026

- Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.

IXYS SCR sensibles SK002xSx

08/27/2026

- SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.

onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

08/25/2026

- Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08/25/2026

- Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.

STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S

08/19/2026

- Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08/17/2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08/17/2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08/14/2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08/14/2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08/14/2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V

08/12/2026

- Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07/21/2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

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