Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09/22/2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS SCR sensibles SK002xSx

08/27/2026

- SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08/27/2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Le MOSFET à commutateur unique est un composant de qualité industrielle avec les caractéristiques 1 200 V, 30 mΩ, 79 A et logé dans un boîtier TO263-7L.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- MOSFET 1200 V, 30 mΩ et 79 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- MOSFET 1200 V, 80 mΩ et 41 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

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Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10/14/2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10/06/2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09/22/2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09/22/2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09/16/2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09/14/2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09/09/2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

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