Types de Semiconducteurs discrets
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= Wolfspeed
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Wolfspeed Modules d'alimentation à commutateur unique TM
10/01/2025
10/01/2025
Les dispositifs sont des modules d'alimentation à commutateur unique qualifiés pour l'industrie automobile, dans une empreinte à la norme industrielle.
Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack
05/14/2025
05/14/2025
Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.
Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V
04/17/2025
04/17/2025
Offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.
Wolfspeed Modules de puissance au carbure de silicium 2 300 V
10/08/2024
10/08/2024
Ces composants sont des modules d’alimentation 2 300 V au carbure de silicium sans embase pour les applications V-bus 1 500 V.
Wolfspeed Modules demi-pont SiC pour environnement difficile HAS
07/25/2024
07/25/2024
Modules demi-pont SiC pour les environnements difficiles dans un boîtier de 62 mm aux normes de l'industrie.
Wolfspeed MOSFET de puissance SiC 1 200 V à profil mince TO-247-4
07/03/2024
07/03/2024
Offrent un haut rendement du système, réduisent les pertes de commutation et minimisent les résonances de grille.
Wolfspeed Module demi-pont SiC DM
06/25/2024
06/25/2024
Offre une capacité de courant élevée dans un facteur de forme de très faible masse et de faible volume.
Wolfspeed MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V
05/27/2024
05/27/2024
Permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans des boîtiers aux normes de l’industrie.
Wolfspeed Diodes Schottky SiC 1 700 V
01/04/2023
01/04/2023
Offre les avantages de performance pour répondre à des standards d'éfficacité plus élevés.
Wolfspeed MOSFET SiC C3M™ en boîtier TOLL
10/18/2022
10/18/2022
Offrent une dépendance à la température de résistance à l'état passant beaucoup plus faible que les MOSFET au silicium standard.
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Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10/05/2026
10/05/2026
Offers a clamping voltage lower than alternative technologies such as MOVs and GDTs.
Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
10/05/2026
10/05/2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
10/05/2026
10/05/2026
Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
09/17/2026
09/17/2026
MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
09/16/2026
09/16/2026
Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.
STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2
09/15/2026
09/15/2026
Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi Diode de protection DES ESDM1021
09/14/2026
09/14/2026
Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.
Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC
09/10/2026
09/10/2026
Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
09/09/2026
09/09/2026
Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
Microchip Technology Modules d’alimentation HV-D3 mSiC®
09/01/2026
09/01/2026
Simplifient et accélèrent l’adoption des transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données et autres applications d’alimentation haute tension.
IXYS SCR sensibles SK002xSx
08/27/2026
08/27/2026
SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
08/25/2026
08/25/2026
Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08/25/2026
08/25/2026
Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08/19/2026
08/19/2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08/17/2026
08/17/2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
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