Types de Semiconducteurs discrets
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STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2
09/15/2026
09/15/2026
Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08/19/2026
08/19/2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08/11/2026
08/11/2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08/10/2026
08/10/2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08/10/2026
08/10/2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
03/31/2026
03/31/2026
Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
11/07/2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10/28/2025
10/28/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LA
09/26/2025
09/26/2025
Propose une topologie PFC triphasée à 4 fils avec NTC intégré pour l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides.
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2P45M12W2-1LA
09/26/2025
09/26/2025
Propose une topologie à six packs avec NTC pour l’étape convertisseur CC/CC de l’OBC dans les véhicules électriques.
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
05/22/2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDAxWY
01/10/2025
01/10/2025
Les TVS (suppresseurs de tension transitoire) conçus pour protéger l’électronique sensible dans les environnements difficiles.
STMicroelectronics Thyristor SCR haute température TN8050H-12WL
01/01/2025
01/01/2025
Convient aux applications industrielles nécessitant une haute immunité avec un courant de grille plus faible.
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
12/24/2024
12/24/2024
Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.
STMicroelectronics Diode TVS ligne unique bidirectionnelle ESDZX168B-1BF4
10/14/2024
10/14/2024
Le dispositif est conçu pour protéger les lignes de données ou d’autres ports E/S contre les transitoires ESD.
STMicroelectronics Module pont ultra-rapide 600 V STTH120RQ06-M2Y
10/08/2024
10/08/2024
Convient à une utilisation dans des applications de chargeur, soit intégrée au véhicule, soit dans une station de chargement.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDA5WY
09/10/2024
09/10/2024
Suppresseur de tension transitoire (TVS) unidirectionnel automobile développé pour les environnements difficiles.
STMicroelectronics Redresseur haute tension automobile STBR3012L2Y-TR
08/09/2024
08/09/2024
Conception de haute qualité avec des caractéristiques reproductibles constantes et une robustesse intrinsèque.
STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N
07/22/2024
07/22/2024
800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
07/03/2024
07/03/2024
Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.
STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N
12/01/2023
12/01/2023
Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.
STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF
10/31/2023
10/31/2023
Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.
Consulter : 1 - 25 sur 37
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
09/17/2026
09/17/2026
MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
09/16/2026
09/16/2026
Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.
STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2
09/15/2026
09/15/2026
Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.
onsemi Diode de protection DES ESDM1021
09/14/2026
09/14/2026
Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB
09/10/2026
09/10/2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC
09/10/2026
09/10/2026
Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
09/09/2026
09/09/2026
Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
Microchip Technology Modules d’alimentation HV-D3 mSiC®
09/01/2026
09/01/2026
Simplifient et accélèrent l’adoption des transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données et autres applications d’alimentation haute tension.
IXYS SCR sensibles SK002xSx
08/27/2026
08/27/2026
SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08/25/2026
08/25/2026
Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
08/25/2026
08/25/2026
Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08/19/2026
08/19/2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08/17/2026
08/17/2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08/17/2026
08/17/2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08/14/2026
08/14/2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08/14/2026
08/14/2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
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