Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08/27/2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Le MOSFET à commutateur unique est un composant de qualité industrielle avec les caractéristiques 1 200 V, 30 mΩ, 79 A et logé dans un boîtier TO263-7L.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS 2 diodes à récupération rapide 50 A, 1 200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Deux diodes de commutation de puissance à usage général dans une configuration à cathode commune et un boîtier TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Dispose d'une tension nominale de 650 V, d'une plage de courant allant de 35 A à 220 A et d'une faible charge de grille.

IXYS Redresseur DPF30U200FC en pont triphasé sous 200 V et à 30 A

07/22/2024

- Ce dispositif sert couramment de redresseur dans des alimentations électriques à découpage (SMPS).

IXYS Diode DSEP60-06AZ à récupération rapide 60 A et 600 V

07/08/2024

- Diode simple à récupération progressive, à faibles pertes et à hautes performances en boîtier TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR sensible SRU6008DS2RP

02/19/2024

- Un SCR à blocage direct élevé de 600 V, idéal pour les applications de décharge de condensateur à haute tension.

IXYS Modules FRED MPA 95-06DA

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et permet une faible perte de commutation pour les dispositifs de commutation à haute fréquence.

IXYS Modules thyristors MCMA140P1600TA-NI

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et de céramique Al2O3 à liaison directe en cuivre pour la fréquence de ligne.

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IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06/26/2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06/19/2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05/27/2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05/18/2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q

05/12/2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05/06/2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04/24/2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04/24/2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.

RECOM Power Circuits intégrés, transformateurs et solutions discrètes

04/24/2026

- Des composants parfaitement adaptés aux applications des secteurs de l'énergie, de l'industrie et du médical.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

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