Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03/13/2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi Diodes de protection Zener NZ8P

11/19/2025

- Conçues pour protéger les composants électroniques sensibles contre les événements de tension transitoire et de DES.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance à canal N unique NVMFWS0D4N04XM

11/16/2025

- Disponible dans un boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm avec une conception compacte et qualifié AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10/14/2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD

10/13/2025

- Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.

onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC

10/13/2025

- Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10/06/2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

onsemi Diodes de protection DES MMQA/SZMMQA

09/23/2025

- Ces dispositifs sont conçus pour les applications nécessitant une capacité de protection contre les surtensions transitoires.

onsemi Transistors à résistance de polarisation PNP NBSAMXW

09/09/2025

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé.

onsemi Transistors à résistance de polarisation NPN NSBCMXW

09/08/2025

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09/08/2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

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IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06/26/2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06/19/2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05/27/2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05/18/2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q

05/12/2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05/06/2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04/24/2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04/24/2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.

RECOM Power Circuits intégrés, transformateurs et solutions discrètes

04/24/2026

- Des composants parfaitement adaptés aux applications des secteurs de l'énergie, de l'industrie et du médical.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

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