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Types de Semiconducteurs discrets

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Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A

03/13/2026

- Dotés d’une tension inverse de 650 V, d’une faible chute de tension directe et d’un temps de récupération inverse ultra-rapide.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated Suppresseur de tension transitoire 5.0SMCJ1xCA 5 000 W

10/31/2025

- Diode TVS haute puissance conçue pour protéger les circuits électroniques sensibles des pics de tension.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10/21/2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated Redresseur à récupération rapide passivé au verre DTH1006P5

10/13/2025

- Redresseur de tension inverse répétitive de crête de 600 V (VRRM) en boîtier PowerDI® 5 thermiquement efficace.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

09/18/2025

- Les Transistors bipolaires PNP sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

09/17/2025

- Ils sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, pour des produits à densité supérieure.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

07/24/2025

- Bénéficient de classements à 30, 60 et 100 V, avec un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels.

Diodes Incorporated Redresseurs en pont TT8M 8 A en verre passivé

05/01/2025

- Présente une tension inverse de crête répétitive maximale de 1 000 V et un courant de sortie redressé moyen de 8 A.

Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP

02/20/2025

- Elles présentent une stabilité de fuite inverse supérieure à des températures élevées dans un boîtier DFN8080.

Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

11/14/2024

- Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10/01/2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08/01/2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated Réseau de diode TVS à faible capacité à 2 canaux DT1042-02SRQ

07/01/2024

- Conçu pour protéger l’électronique sensible contre les dommages DES.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

06/24/2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir d'excellentes performances de commutation.

Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101

06/04/2024

- Offrent une capacité de courant élevé et une faible chute de tension directe.

Diodes Incorporated Protecteur de bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ de 24 V

06/01/2024

- Dispositif de protection contre les surtensions et les décharges électrostatiques (DES) emballé dans un boîtier compact SOT23 à montage en surface.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05/01/2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ

05/01/2024

- Disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04/01/2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated Redresseur ultra-rapide US1NDFQ 1 A à montage en surface

03/01/2024

- Il offre un temps de récupération ultra-rapide pour un rendement élevé dans les applications de redressement général.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle DESDxxVxS2UTQ à 2 canaux

01/01/2024

- Conçue pour protéger l'électronique sensible des dommages causés par les DES.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01/01/2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08/19/2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08/17/2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08/17/2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08/14/2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08/14/2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08/14/2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V

08/12/2026

- Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07/21/2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06/26/2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

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