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IS41LV16256C-35TLI

ISSI

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

870-S41LV16256C35TLI

N° de fab. :

IS41LV16256C-35TLI

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IS41LV16256C-35TLI Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	EDO DRAM
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Package/Boîte:	TSOP-II-40
Organisation:	256 k x 16
Temps d'accès:	35 ns
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	IS41LV16256C
Conditionnement:	Tray
Marque:	ISSI
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	135
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	90 mA

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

IS41LV16256C-35TLI Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ISSI

LPDDR4 & LPDDR4X Mobile SDRAM

Low-voltage memory devices, available in 2Gb, 4Gb, and 8Gb densities, ideal for mobile applications.

High-speed DRAM devices internally organized with an eight-bank setup.

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

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