Infineon Technologies Modules IGBT doubles 1 700 V
Les modules IGBT doubles 1 700 V d'Infineon Technologies sont homologués pour les applications industrielles selon les tests pertinents des normes CEI 60747, 60749 et 60068. Les modules ont des caractéristiques électriques telles que VCES = 1 700 V, CI nom jusqu'à 1 500 A/ICRM = 3 000 A. Ces composants disposent également d'un capteur de température intégré, d'une densité de courant élevée et d'un VCE faible.
Caractéristiques
- Caractéristiques électriques
- VCES = 1 700 V
- FF1500R17IP5RBPSA1 IC nom = 1 500 A / iCRM = 3 000 A
- FF900R17ME7_B11 IC nom = 900 A / ICRM = 1 800 A
- FF750R17ME7D_B11 IC nom = 750 A / iCRM = 1 500 A
- FF225R17ME7_B11 IC nom = 225 A / ICRM = 450 A
- Capteur de température intégré
- Densité de courant élevée
- VCEsat faible
- Fonctionnement en surcharge jusqu'à 175 °C
- IGBT7 TRENCHSTOP™
- VCEsat avec un coefficient de température positive
- Caractéristiques mécaniques
- Densité de puissance élevée
- Embase isolée
- Technologie de contact PressFIT
- Boîtier standard
Applications
- Convertisseurs haute puissance
- Convertisseurs à tension moyenne
- Entraînements de traction
- Transmission et distribution d'électricité
- Commandes de moteurs
- Éoliennes
Produits associés
Infineon Technologies Module EasyPACK™ FS75R17W2E4P_B11
Dispose d'un IGBT4 à tranchée/arrêt de champ et de quatre diodes contrôlées par émetteur avec PressFIT/CTN/TIM.
Publié le: 2022-04-14
| Mis à jour le: 2023-09-08