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onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V

Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. De plus, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le rendement le plus élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Le boîtier TOLL onsemi offre des performances thermiques améliorées et d’excellentes performances de commutation grâce à la configuration de la source Kelvin et à une inductance de source parasite plus faible. TOLL offre un niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1).

Caractéristiques

  • Température de jonction maximale 175 °C
  • Boîtier CMS fin sans fil
  • Configuration de source Kelvin
  • Charge de grille ultra-faible
  • Faible capacité de sortie effective
  • Courant de récupération inverse nul de la diode de corps
  • Faible RDS(on)
  • Valeur nominale de 650 V
  • Testé à 100 % en mode avalanche
  • Sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS
  • Garantie de sensibilité à l’humidité de niveau 1

Applications

  • Télécommunications
  • Système Cloud
  • Industriel
  • Alimentation télécom
  • Alimentation de serveurs
  • ASI/ESS
  • Applications solaires

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En savoir plus sur EliteSiC

onsemi EliteSiC

Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.

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Numéro de pièce Fiche technique Description
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Publié le: 2024-05-10 | Mis à jour le: 2024-07-25