onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 900 V
Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 900 V d'onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée que le silicium. De plus, la faible résistance à l'état passant et la compacité de la puce assurent une faible capacité et charge de grille. Le système bénéficie donc d'un rendement élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction d'EMI et d'une économie de taille.
Caractéristiques
- Tension nominale 900 V
- Faible résistance à l'état passant
- La taille compacte de la puce garantit une capacité et une charge de grille faibles.
- Commutation à haute vitesse et faible capacité
- Testé à 100 % UIL
- Homologué AEC-Q101
Applications
- Automobile
- Convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques/véhicules électriques hybrides rechargeables (EV/PHEV)
- Chargeurs embarqués
- Entraînements à moteur auxiliaire
- Convertisseurs solaires
- Alimentations réseau
- Alimentations électriques de serveurs
- Correction du facteur de puissance (PFC)
- Convertisseurs Boost
- Chargement photovoltaïque (PV)
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Publié le: 2020-04-01
| Mis à jour le: 2024-06-07