onsemi MOSFET NTMFSC PowerTrench®
Les MOSFET NTMFSC PowerTrench® Onsemi offrent une faible RDS(on) tout en maintenant d'excellentes performances de commutation grâce à une résistance thermique de jonction à la température ambiante (θJA) extrêmement faible. Cela est possible grâce aux progrès technologiques réalisées en matière de silicium et dans les boîtiers Dual Cool™. Les MOSFET PowerTrench® sont fournis en boîtier DFN-8 testé à 100 % UIL et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les redresseurs synchrones, les alimentations CA-CC, les MOSFET primaires sur convertisseurs isolés 48 V et les convertisseurs CC-CC isolés.
Caractéristiques
- BOÎTIER PQFN Dual Cool™ à refroidissement côté haut
- Technologie de haute performance pour un RDS(on) extrêmement faible
- 4 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 44 A ID
- 8,5 mΩ max RDS(on) à 6 V VGS, 22 A ID
- Amélioration des thermiques
- Pertes en conduction et de commutation faibles
- Testé à 100 % UIL
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Redresseurs synchrones
- Alimentations CA-CC
- MOSFET primaire sur convertisseurs isolés 48 V
- Convertisseurs CC-CC isolés
Configuration
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| NTMFSC004N08MC |  |
MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm |
| NTMFSC010N08M7 | |
MOSFET MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC |
| NTMFSC4D2N10MC | |
MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm |
Publié le: 2020-07-01
| Mis à jour le: 2024-11-07