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IPD50N08S4-13

Name: Infineon IPD50N08S4-13
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD50N08S4-13
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPD50N08S4-13

N° de fab. :

IPD50N08S4-13

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Fiche technique:

IPD50N08S4-13 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,641 €	64,10 €
	0,525 €	262,50 €
	0,476 €	476,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,403 €	1 007,50 €
	0,389 €	1 945,00 €
	0,38 €	9 500,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPD50N08S413ATMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,47 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPD50N08S413ATMA1

Description :

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	72 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	11.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.6 ns
Série:	XPD50N08
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	6.4 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000988948 IPD50N08S413ATMA1
Poids de l''unité:	330 mg

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.