IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies
726-IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185C7AUMA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 662

Stock:
2 662 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
39 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,19 € 3,19 €
1,94 € 19,40 €
1,47 € 147,00 €
1,20 € 600,00 €
1,19 € 1 190,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,10 € 3 300,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
185 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 40 C
+ 150 C
77 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: AT
Pays d'origine: AT
Temps de descente: 6 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4 ns
Série: CoolMOS C7
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 46 ns
Délai d'activation standard: 9 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPL60R185C7 SP001296238
Poids de l''unité: 187,650 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99