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CE3512K2-C1

Name: CEL CE3512K2-C1
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2-C1
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

551-CE3512K2-C1

N° de fab. :

CE3512K2-C1

Fab. :

CEL

Description :

Transistors JFET RF 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Fiche technique:

CE3512K2-C1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,46 €	1,46 €
	0,98 €	9,80 €
	0,817 €	81,70 €
	0,789 €	394,50 €
	0,775 €	1 937,50 €
	0,761 €	3 805,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,738 €	7 380,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CE3512K2

Conditionnement:

Bulk

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,89 €

Min.:

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Fab. :

CEL

N° de fab. :

CE3512K2

Description :

Transistors JFET RF 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	CEL
Catégorie du produit:	Transistors JFET RF
RoHS:
Type de transistor:	pHEMT
Technologie:	GaAs
Fréquence de fonctionnement:	12 GHz
Gain:	13.7 dB
Vds - Tension de rupture drain-source:	4 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 3 V
Id - Courant continu de fuite:	10 mA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 mW
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MICRO-X-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	CEL
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Transconductance directe - min.:	54 mS
Tension gâchette-cathode de coupure:	- 750 mV
NF : facteur de bruit:	0.3 dB
Type de produit:	RF JFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	16,473 mg

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Fiche technique

CE3512K2-C1 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.